Produktbeschreibung
As a one-dimensional Dirac material, carbon nanotubes have zero effective mass for electrons and holes, which makes their carrier mobility as high as 100,000 cm2/(V·s). Field effect transistors made of carbon nanotubes exhibit ideal ballistic transport characteristics, and have improved by several orders of magnitude compared with silicon-based metal-oxide-semiconductor (MOS) transistors in terms of withstand current density, switching speed, switching ratio, mobility and other indicators. It is precisely because of these excellent electrical properties that carbon nanotubes have become ideal candidate materials in high-end semiconductor fields such as integrated circuits, optoelectronic devices, and smart storage. In addition to electrical properties, the thermal and mechanical performance indicators of carbon nanotubes have also reached the limits of existing materials. Due to the micron-level phonon mean free path, the thermal conductivity of carbon nanotubes can reach 6600 W/(m·K), and they also have excellent interphase heat transfer performance, which can provide sufficient heat dissipation intensity for high-power density electronic Geräte . In Bezug auf mechanische Eigenschaften, Kohlenstoffnanoröhren haben die Eigenschaften der Superstärke, des Supermoduls und der Superzähigkeit: Die Zugfestigkeit eines einzelnen Kohlenstoffnanoröhrchens kann 100 gpa erreichen. Der Jungmodul erreicht 1 tpa und die Brüh -Struktur ist mit 17%. Mechanische Indikatoren .
Daher haben Kohlenstoffnanoröhren auch breite Anwendungsprospekte in den Feldern von superstarken Fasern, Luft- und Raumfahrt und militärischer Fertigung . als eindimensionale Nanomaterial mit einem sehr hohen Seitenverhältnis, Kohlenstoffnanoröhren benötigen nur eine geringe Menge an Zugabe, die das Perkolationsschwellenwert im Zusammenhang mit dem Zusammenbruch des Zusammenhangs in den Kompositmaterialien erheblich verbessert. In Anwendungen wie transparenten leitenden Filmen und elektrischen Heizgeräten .
However, for the application of carbon nanotubes in cutting-edge fields such as carbon-based semiconductors, super strong fibers, and transparent conductive films, the main challenge at present is that it is still impossible to achieve precise control of the carbon nanotube structure in a complete sense, especially the controllable preparation of defect-free structures of macroscopic lengths, the highly selective preparation of semiconductor-type carbon tubes, and the Massenvorbereitung von makroskopischen Kohlenstoffnanoröhren .
Als spezielles kristallines Material lässt das Vorhandensein von Strukturdefekten in Kohlenstoffnanoröhren im Vergleich zu anderen Arten von Kohlenstoffnanoröhren, die horizontale Arrays von Kohlenstoffnanoröhren mit relativ perfekten Strukturen und makroskopischen Längen folgen, ein freies Wachstum einer leichten Substrate, die zu einem flachen Substrat und einer zusätzlichen Länge folgen, und es ist einfacher, auf einem freien Wachstum zu einem flachen Substrat zu gelangen, und es ist einfacher, auf einem flachen Substrat zu erhalten, und es ist einfacher, auf einem freien Wachstum zu erhalten, und es ist ein freier Substrat, zu erhalten, und es ist einfacher Substrate, zu erhalten, und es ist einfacher, {{1 -} -Liefe zu erhalten, und es ist ein freier Hilfsmittel, {{1 -} -Liefe, und es ist ein freier Hilfsmittel. Semiconductor-Chips haben höhere Anforderungen an die strukturelle Selektivität von Kohlenstoffnanoröhren . gegeben Carbonrohrmonomere haben makroskopische Längen und nahezu perfekte Strukturen .
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